近日，英特爾非易失性存儲(chǔ)方案事業(yè)部宣布,基于中國大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾® QLC 3D NAND固態(tài)盤（SSD）已達(dá)1000萬個(gè)。

    此項(xiàng)生產(chǎn)在2018年底開始進(jìn)行的，這一新的里程碑也確立了QLC技術(shù)成為主流大容量硬盤技術(shù)的重要地位。

    2019年4月，英特爾推出了傲騰H10混合式固態(tài)盤。

    傲騰H10混合式固態(tài)盤將英特爾傲騰技術(shù)的卓越響應(yīng)速度和英特爾QLC 3D NAND技術(shù)的強(qiáng)大存儲(chǔ)容量融為一體，采用M.2規(guī)格。

    關(guān)于英特爾QLC 3D NAND

    英特爾QLC 3D NAND主要應(yīng)用于英特爾SSD 660p、英特爾® SSD 665p 和傲騰H10混合式固態(tài)盤存儲(chǔ)解決方案。

    英特爾QLC驅(qū)動(dòng)器采用每單元4比特設(shè)計(jì)，并以64層和96層NAND配置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

    英特爾在過去十年中一直致力于該技術(shù)的研發(fā)。
 
   2016年，英特爾工程師將已被充分驗(yàn)證的浮柵（FG）技術(shù)調(diào)整為垂直方向，并將其集成在環(huán)柵結(jié)構(gòu)中，進(jìn)而獲得每裸片存儲(chǔ)384 Gb數(shù)據(jù)的3D TLC技術(shù)。

    2018年，具備64層，每單元4比特，可儲(chǔ)存1,024 Gb/裸片的3D QLC閃存問世。2019年，英特爾升級(jí)到96層，進(jìn)一步提升了整體存儲(chǔ)密度。