據(jù)媒體報道，三星電子(http://www.weberwork.com/sell/l_23/)高層透露了公司(http://www.weberwork.com/company/)最新的技術(shù)突破。該公司已成功完成采用16層混合鍵合HBM內(nèi)存技術(shù)的驗證，并制造出工作正常的16層堆疊HBM3內(nèi)存樣品。未來，這種創(chuàng)新的混合鍵合技術(shù)將應(yīng)用于HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)中，標(biāo)志著內(nèi)存技術(shù)的一大飛躍。
混合鍵合技術(shù)作為一種新型的內(nèi)存鍵合方式，相較于傳統(tǒng)工藝展現(xiàn)出了諸多優(yōu)勢。它摒棄了DRAM內(nèi)存層間添加凸塊的復(fù)雜過程，采用銅對銅的直接連接方式，實現(xiàn)了層間的高效連接，從而極大地提高了工作效率。
這一創(chuàng)新不僅顯著提升了信號傳輸速率，滿足了AI計算對高帶寬的迫切需求，而且有效降低了DRAM層間距，使HBM模塊的整體高度大幅縮減，進一步提升了其集成度和便攜性。
盡管混合鍵合技術(shù)的成熟度和應(yīng)用成本一直是業(yè)界關(guān)注的焦點，但三星電子積極應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，通過多元化策略推進該技術(shù)的研究與應(yīng)用。公司不僅致力于混合鍵合技術(shù)的研究，還同步開發(fā)傳統(tǒng)的TC-NCF工藝，以實現(xiàn)技術(shù)多樣化，降低潛在風(fēng)險，并提升整體競爭力。
據(jù)悉，三星設(shè)定的目標(biāo)是將HBM4中的晶圓間隙縮減至7.0微米以內(nèi)，這將進一步提升HBM4的性能和可靠性，為未來的計算應(yīng)用提供強大的內(nèi)存支持。
業(yè)內(nèi)專家對此表示，三星在16層混合鍵合堆疊工藝技術(shù)方面的突破，將有力推動HBM內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展，為未來的計算應(yīng)用提供更加強大的動力。這一技術(shù)突破無疑將引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)的新篇章，為計算領(lǐng)域帶來更加廣闊的可能性。
