ASML今年將向臺(tái)積電交付價(jià)值3.8億美元的最先進(jìn)光刻機(jī)
據(jù)外媒報(bào)道,全球光刻機(jī)巨頭ASML(阿斯麥)將在今年內(nèi)向其最大的EUV(極紫外)光刻機(jī)客戶臺(tái)積電交付最新款的高數(shù)值孔徑(高NA)極紫外光刻系統(tǒng)。ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會(huì)議(http://www.weberwork.com/exhibIT(http://www.weberwork.com/sell/l_25/)/)上確認(rèn)了這一消息,并透露公司(http://www.weberwork.com/company/)的另一大客戶英特爾也將在今年年底前獲得同款設(shè)備(http://www.weberwork.com/sell/l_4/)。
據(jù)悉,這些光刻機(jī)每臺(tái)造價(jià)高達(dá)3.5億歐元(約合3.8億美元),其重量相當(dāng)于兩架空中客車(chē)A320。作為全球唯一一家生產(chǎn)極紫外光刻技術(shù)的公司,ASML的這款高NA EUV光刻機(jī)代表了當(dāng)前半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的頂尖技術(shù)。
臺(tái)積電作為ASML的重要合作伙伴,一直在積極追求更先進(jìn)的制造技術(shù)。該公司此前宣布,其2nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利,并計(jì)劃于2025年下半年推出N3X、N2制程,隨后在2026年下半年量產(chǎn)N2P和A16制程。與現(xiàn)有的3nm制程節(jié)點(diǎn)相比,臺(tái)積電2nm制程將采用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,預(yù)計(jì)性能將提升10%至15%,同時(shí)功耗降低25%至30%。
然而,實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)離不開(kāi)先進(jìn)的光刻機(jī)技術(shù)。臺(tái)積電對(duì)ASML的高NA EUV光刻機(jī)需求迫切,但此前曾因價(jià)格高昂而猶豫不決。不過(guò),隨著技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的加劇和市場(chǎng)需求的增長(zhǎng),臺(tái)積電最終決定采購(gòu)(http://www.weberwork.com/buy/)這款設(shè)備。
在回應(yīng)股東關(guān)于華為在晶圓代工領(lǐng)域的積極發(fā)展的提問(wèn)時(shí),臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音表示,臺(tái)積電關(guān)注的是自身發(fā)展的速度是否足夠快,而不是擔(dān)心競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的威脅。他強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電永遠(yuǎn)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,但華為超越臺(tái)積電的可能性“根本不存在”。這一言論引發(fā)了行業(yè)專(zhuān)家的熱議和爭(zhēng)議。
然而,無(wú)論臺(tái)積電如何自信,無(wú)法否認(rèn)的是,先進(jìn)的光刻機(jī)技術(shù)是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。ASML的高NA EUV光刻機(jī)將為臺(tái)積電提供更強(qiáng)的技術(shù)支持,幫助其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中保持領(lǐng)先地位。同時(shí),這也將推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。